Prof. Dr. · Fen Fakültesi Dekanlığı Fizik Bölümü Başkanlığı Yüksek Enerji ve Plazma Fiziği Ana Bilim Dalı Başkanlığı
Genel bakış
Prof. Dr. · Fen Fakültesi Dekanlığı Fizik Bölümü Başkanlığı
Nanoscience & Nanotechnology · Physics, Applied · Physics · Physics, Condensed Matter
Statistical and Nonlinear Physics · Electronic, Optical and Magnetic Materials
Fen Bilimleri ve Matematik › Fizik · Yenilenebilir Enerji · Yarı İletkenler · Organik Elektronik
Eğitim ve Yetkinlikler
Toplam 4 kayıt
Eğitim Bilgileri
2 kayıtAtatürk Üniversitesi Türkiye
Atatürk Üniversitesi Fen Fakültesi Dekanlığı Fizik Bölümü Başkanlığı Türkiye
Yabancı Diller
1 kayıt- İngilizce · B2 — Orta Üstü · ÜDS
Yaptığı Tezler
1 kayıt-
2011
Yaptığı Tez SILAR TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN CdS İNCE FİLMLERİN SANDVİÇ TİPİ DEVRE ELEMANLARI YAPIMINDA KULLANILMASI VE BU YAPILARIN KARAKTERİSTİKLERİNİN İNCELENMESİ
Doktora · Danışman: Prof. Dr. Mustafa Sağlam · Devam ediyor · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Mesleki Deneyim
Toplam 20 kayıt
Verdiği Dersler
11 kayıt- Güneş Enerjisi · Lisans · 2024
- Katıhal Fiziği Laboratuvarı · Lisans · 2024
- Katıhal Fiziği Laboratuvar · Lisans · 2024
- Güneş Fiziği · Lisans · 2023
- Organik Elektronik Aygıt Fiziği ve Uygulamaları · Yüksek Lisans · 2023
Akademik Ünvanlar/Görevler
3 kayıtAtatürk Üniversitesi Fen Fakültesi Dekanlığı Fizik Bölümü Başkanlığı
Atatürk Üniversitesi Fen Fakültesi Dekanlığı Fizik Bölümü Başkanlığı Yüksek Enerji ve Plazma Fiziği Ana Bilim Dalı Başkanlığı
Atatürk Üniversitesi Fen Fakültesi Dekanlığı Fizik Bölümü Başkanlığı
Akademik İdari Deneyim
2 kayıtAnabilim/Bilim Dalı Başkanı Atatürk Üniversitesi Türkiye
Bölüm Başkan Yardımcısı Atatürk Üniversitesi Türkiye
Yönetilen Tezler
4 kayıt-
2026 – Devam ediyor
Yönetilen Tez PLD Tekniği ile Seryum Oksit Tek Kristal İnce Filmlerin Büyütülmesi ve İnce Film Transistör Fabrikasyonu
Rol: Danışman · Yüksek Lisans · Öğrenci: MUHAMMED ALİ TAKAR · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
-
2019 – Devam ediyor
Yönetilen Tez Altın ve gümüş nanopartikülleri ile grafen oksit nanokompozitlerin büyütülmesi ve üretilenAu / AuNPs-GO / n-InP AND Ag / AgNPs-GO / n-InP yapıların elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Rol: Danışman · Yüksek Lisans · Öğrenci: CENGİZ AYKAÇ · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
-
2019 – Devam ediyor
Yönetilen Tez Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diyotların akım-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının etkileri
Rol: Danışman · Yüksek Lisans · Öğrenci: SELİN BOYLU · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
-
2018 – Devam ediyor
Yönetilen Tez Bazı metal ve alaşım/n-Si/Ti Schottky diyotlarının elektriksel karakteristikleri üzerine numune sıcaklığının etkileri
Rol: Danışman · Yüksek Lisans · Öğrenci: ZEYNEP ORHAN · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Proje & Tasarımlar
17 kayıt
ITIC2F Malzeme Üretimi ve Aygıt Tasarımı
Devam Ediyor · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Fulleren ITIC Malzemesinin Teorik ve Deneysel Karakterizasyon ve Uygulamalarının İncelenmesi
Devam Ediyor · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Cu-GNP-B-Ba ve TiO2-GNP-B-GaN Bazlı Yarı İletken Kompozit Malzemelerin Üretilmesi, Karakterizasyonları ve Alan Etkili Transistör Ugulamaları.
Devam Ediyor · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
PEM Yakıt Pilleri için Platin Grubu Metal İçermeyen Katalizörlerin Sentezi ve Katalitik Aktivitelerinin İncelenmesi
Devam Ediyor · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Selen ve Sülfür İçerikli İki Boyutlu Malzemelerin Üretimi, Karakterizasyonu ve Aygıt Tasarımı
Devam Ediyor · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Yayınlar
Toplam 155 kayıt
Makaleler
61 kayıtInterface-controlled charge transport in P3HT: RGO hybrid OFETs: role of diazonium functionalization and gate dielectric thickness scaling
Züleyha Kudaş, Hasan Feyzi Budak, Duygu Ekinci, Betül Güzeldir
APPLIED SURFACE SCIENCE, Cilt 745 · DOI: 10.1016/j.apsusc.2026.167521- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 2 atıf
- Scopus 2 atıf
- PlumX
Enhanced electrical transport in CVD-grown monolayer MoS₂ thin-film transistors via carbon hybridization
Elif Daş, Ahmet Emre Kasapoğlu, M. Ali Takar, Mehmed Koç, Mustafa Sağlam, Betül Güzeldir
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, Cilt 169 · DOI: 10.1016/j.diamond.2026.114055- WoS Q1
- Scopus Q1
Correlation between nanoflower morphology and temperature-dependent charge transport in IrSb₃ thin-film transistors
Fatma Bayrakçeken Nişancı, Hasan Feyzi Budak, Betül Güzeldir
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, Cilt 132, Sayı 10, Makale no. 1053 · DOI: 10.1007/s00339-026-10246-5- WoS Q2
- Scopus Q2
Pulse-controlled growth and interface-regulated transport in PED-grown TiO2 thin-film transistors with LaAlO3 gate dielectric
Mustafa Tolga Yurtcan, Betül Güzeldir
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Cilt 37, Sayı 2088, ss. 1–21 · DOI: 10.1007/s10854-026-18499-9Study of how illumination affects the electrical properties of Al/n-gap Schottky diodes with varying amounts of Cu NCs-doped wm-cqd interlayer
O.N. Enis, Hayrunnisa Nadaroğlu, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, Cilt 717 · DOI: 10.1016/j.physb.2025.417776- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 3 atıf
- Scopus 3 atıf
- PlumX
Statistical analysis of characteristic parameters of graphene/p-Si junctions prepared under similar conditions
Oğuzhan Özakın, Mustafa Sağlam, Betül Güzeldir
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, Cilt 677 · DOI: 10.1016/j.physb.2024.415738- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 4 atıf
- Scopus 4 atıf
- PlumX
Mixed halide perovskite compound thin film with large cation Guanidinium and applications: MIS (Au/GUAPbI3-xClx/p-Si/Al) and p-FET (Al/p-Si/SiO2/GUAPbI3- xClx/Al)
Ali Baltakesmez, Betül Güzeldir
Surfaces and Interfaces, Cilt 40, Sayı 103066, ss. 1–12 · DOI: 10.1016/j.surfin.2023.103066- WoS Q1
- WoS 9 atıf
- Scopus 8 atıf
- PlumX
Undoped p-type ZnTe thin film and thin film transistor channel performance
Ali Baltakesmez, Betül Güzeldir
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, Cilt 129, Sayı 134, ss. 1–12 · DOI: 10.1007/s00339-023-06430-6- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 3 atıf
- Scopus 3 atıf
- PlumX
Microstructural properties of SiC thin film deposited by RF sputtering technique and its role on the barrier parameters of n-InP/Pd and n-GaP/Pd junctions as an interlayer
Betül Güzeldir, Ali Baltakesmez, Mustafa Sağlam
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, Sayı 647 · DOI: 10.1016/j.physb.2022.414364- WoS Q3
- WoS 7 atıf
- Scopus 8 atıf
- PlumX
Transfer of graphene thin film obtained by PECVD method to Au/p-Si rectifier junction as interfacial layer and analysis of its barrier characteristics depending on sample temperature
Oğuzhan Özakın, Mustafa Sağlam, Betül Güzeldir
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Cilt 33, ss. 14627–14643 · DOI: 10.1007/s10854-022-08382-8- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 3 atıf
- Scopus 4 atıf
- PlumX
Role of Reduced Graphene Oxide-Gold Nanoparticle Composites on Au/Au-RGO/p-Si/Al Structure Depending on Sample Temperature
Mustafa Sağlam, Betül Güzeldir, ABDULMECİT TÜRÜT, Duygu Ekinci
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Cilt 50, ss. 4752–4761 · DOI: 10.1007/s11664-021-09017-0- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 13 atıf
- Scopus 13 atıf
- PlumX
Interface application of NiPt alloy nanoparticles decorated rGO nanocomposite to eliminate of contact problem between metal and inorganic/organic semiconductor
Ali Baltakesmez, Melike Sevim Bayrak, Betül Güzeldir, Cengiz Aykaç, Mehmet Biber
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, Cilt 867 · DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.158802- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 14 atıf
- Scopus 15 atıf
- PlumX
Interpretation of the I–V, C–V and G/ω-V characteristics of the Au/ZnS/n-GaAs/In structure depending on annealing temperature
A. Baltakesmez, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam, M. Biber
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, Cilt 611 · DOI: 10.1016/j.physb.2020.412801- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 8 atıf
- Scopus 9 atıf
- PlumX
Examination of characteristic parameters of Zn/n-Si junction depending on electron radiation applied at different doses
Maryam Abdolahpour Salari, Yılmaz Şahin, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
Materials Today: Proceedings, Cilt 46, Sayı 16, ss. 7001–7004 · DOI: 10.1016/j.matpr.2021.03.279- Scopus Q3
- PlumX
Fabrication and characterization of Al/n-Si/Al schottky diode with rGO interfacial layer obtained by using spin coating method
Elif Daş, Zeynep Orhan, Şakir Aydoğan, Betül Güzeldir
Materials Today Proceeding, Cilt 46, ss. 6899–6903Effects of aging on the electrical properties of Au/n-Si/Ti, Cu/n-Si/Ti and AuCu/n-Si/Ti Schottky diodes
Ahmet Taşer, Zeynep Orhan, Cengiz Aykaç, Oğuzhan Özakın, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
Materials Today: Proceedings, Cilt 46, ss. 6954–6959 · DOI: 10.1016/j.matpr.2021.03.270- Scopus Q3
- WoS 1 atıf
- Scopus 1 atıf
- PlumX
The temperature dependence of current-voltage characteristics of CuAuAg/n-Si/Ti Schottky diode
Zeynep Orhan, Ahmet Taşer, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
Materials Today: Proceedings, Cilt 46, ss. 6924–6928 · DOI: 10.1016/j.matpr.2021.01.560- Scopus Q3
- WoS 7 atıf
- Scopus 6 atıf
- PlumX
Temperature dependent current-and capacitance-voltage characteristics of W/n-Si structures with two-dimensional WS2 and three-dimensional WO3 interfaces deposited by RF sputtering technique
A. Baltakesmez, S. Tekmen, Betül Güzeldir
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Cilt 118 · DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105204- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 20 atıf
- Scopus 19 atıf
- PlumX
Effects of surface passivation on capacitance-voltage and conductance-voltage characteristics of Al/p-type Si/Al and Al/V2O5/p-type Si/Al diodes
Elvan Şenarslan, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
Journal of Physics and Chemistry of Solids, Cilt 146 · DOI: 10.1016/j.jpcs.2020.109564- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 17 atıf
- Scopus 18 atıf
- PlumX
Investigation of electrical and admittance analysis of Au/Thiophene/n-Si structure at room temperature
Ali Baltakesmez, Çiğdem Bilkan, Betül Güzeldir
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, Cilt 594 · DOI: 10.1016/j.physb.2020.412356- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 8 atıf
- Scopus 8 atıf
- PlumX
Optimizing quality of lead-free perovskite thin film with anti-solvent engineering and co-doping SnBr2/SnF2; its solar cell performance
A. Baltakesmez, Betül Güzeldir, Y. Alkan, Mustafa Sağlam, M. Biber
OPTICAL MATERIALS, Cilt 110, Sayı 110524, ss. 1–12 · DOI: 10.1016/j.optmat.2020.110524- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 26 atıf
- Scopus 27 atıf
- PlumX
A comparative study on theoretical and experimental methods using basic electrical parameters of Au/CNTs/lnP/Au-Ge diodes
Yeşim Akbulut, Sıdıka Şule Şener Kılıç, Ali Baltakesmez, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, Cilt 824 · DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.153899- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 9 atıf
- Scopus 10 atıf
- PlumX
Albedo parameters of selenium and boron compounds doped V2O5 thin films
Demet Yılmaz, Zeynep Uzunoğlu, Ali Baltakesmez, F. S. Ozcelik, Betül Güzeldir
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, Cilt 166 · DOI: 10.1016/j.radphyschem.2019.108460- WoS Q1
- Scopus Q2
- WoS 12 atıf
- Scopus 13 atıf
- PlumX
The protection from the effects of gamma rays of metal-semiconductor diodes by means of ZnO thin interface layer
M. Abdolahpour Salari, Mustafa Sağlam, Betül Güzeldir
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, Cilt 165 · DOI: 10.1016/j.radphyschem.2019.108416- WoS Q1
- Scopus Q2
- WoS 16 atıf
- Scopus 16 atıf
- PlumX
Effects of Au-Ag and Au-Cu alloy ratios on the temperaturedependent current-voltage characteristics of Au-Ag/n-GaAs/In andAu-Cu/n-GaAs/In Schottky diodes
Selin Küp, Ahmet TAŞER, İmran Kanmaz, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
Materials Today: Proceedings, Cilt 18, ss. 1936–1945Analysis of thermal annealing effects of Au-Cu/n-GaAs/In andAg-Cu/n- GaAs/In Schottky diodes with different ratios Au-Cu andAg-Cu alloys
İmran Kanmaz, Ahmet TAŞER, Selin Küp, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
Materials Today: Proceedings, Cilt 18, ss. 1918–1926Electrical characteristic of Au/Graphene/p-Si/Al Schottky diode depend on annealing temperature
Oğuzhan Özakın, Özkan Bayram, CENGİZ AYKAÇ, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 10, Sayı 9, ss. 46–48Examination ofSome Basic Electrical Propertiesof Au/p p-Si/Al, Au/GO/p p-Si/Al and Au/Au Au-RGO/p p-Si/Al structures
Merve Odabaş, Ahmet TAŞER, Züleyha KUDAŞ, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 10, Sayı 9, ss. 4–7Electrical Characteristic of Au/Graphene/pp-Si/AlSchottky Diode Depend on AnnealingTemperature
OĞUZHAN ÖZAKIN, ÖZKAN BAYRAM, Cengiz Aykaç, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 10, Sayı 9, ss. 46–48Examination of some basic electrical properties of Au/p-Si/Al, Au/GO/p-Si/Al and Au/Au-RGO/p-Si/Al structures
MERVE ODABAŞ, Ahmet TAŞER, ZÜLEYHA KUDAŞ, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 10, Sayı 9, ss. 4–7Time-Based Analysis of t he CharacteristicParameters of AuAgCu(2:1:1)/n n-Si,AuAgCu(1:2:1)/n n-Si and AuAgCu(1:1:2)/n n-SiJunctions
Merve Odabaş, Ahmet TAŞER, Zeynep Orhan, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 10, Sayı 9, ss. 42–45Calculation of Electrical Parameters of TheAg/SnO SnO2/n -InP/In Schottky Diode
Maryam Abdolahpour SALARİ, Merve Odabaş, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 10, Sayı 9, ss. 52–55Time-based analysis of the characteristic parameters of AuAgCu(2:1:1)/n-Si, AuAgCu(1:2:1)/n-Si and AuAgCu(1:1:2)/n-Si junctions
MERVE ODABAŞ, Ahmet TAŞER, Zeynep ORHAN, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 10, Sayı 9, ss. 42–45The electrical current characteristics of thermally annealed Co/anodic oxide layer/n-GaAs sandwich structures
N. Yildirm, ABDULMECİT TÜRÜT, M. Biber, Mustafa Sağlam, Betül Güzeldir
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, Cilt 33, Sayı 21 · DOI: 10.1142/s0217979219502321- WoS Q4
- Scopus Q3
- WoS 4 atıf
- Scopus 5 atıf
- PlumX
Phase transition and changing properties of nanostructured V2O5 thin films deposited by spray pyrolysis technique, as a function of tungsten dopant
Ali Baltakesmez, Cengiz AYKAÇ, Betül Güzeldir
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, Cilt 125, Sayı 6 · DOI: 10.1007/s00339-019-2736-0- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 54 atıf
- Scopus 55 atıf
- PlumX
Barrier Height Modification of n-InP Using a Silver Nanoparticles Loaded Graphene Oxide as an Interlayer in a Wide Temperature Range
A. Baltakesmez, Ahmet TAŞER, ZÜLEYHA KUDAŞ, Betül Güzeldir, Duygu Ekinci, Mustafa Sağlam
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Cilt 48, Sayı 5, ss. 3169–3182 · DOI: 10.1007/s11664-019-07088-8- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 18 atıf
- Scopus 19 atıf
- PlumX
Effect of electron radiation on electrical parameters of Zn/n-Si/Au-Sb and Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb diodes
M. A. Salari, Mustafa Sağlam, A. Baltakesmez, Betül Güzeldir
JOURNAL OF RADIOANALYTICAL AND NUCLEAR CHEMISTRY, Cilt 319, Sayı 3, ss. 667–678 · DOI: 10.1007/s10967-018-06401-9- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 15 atıf
- Scopus 17 atıf
- PlumX
A Study of Graphene Obtained by PECVD Technique Depending on RF Power
Oğuzhan Özakın, Cengiz AYKAÇ, Merve ODABAŞ, Ahmet TAŞER, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 9, ss. 38–41Effect of x-rays and ɣ radiation on the optical and structural properties of vanadium oxide thin film
ALİ BALTAKESMEZ, Demet Yılmaz, Betül Güzeldir, Demet İskenderoğlu, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 9, ss. 23–29The Effects of Gamma Radiation On Structural and Surface Properties of ZnO Thin Films Deposited On n-Si Substrate
Maryam Abdolahpour SALARİ, Merve ODABAŞ, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
International Journal of Scientific & Engineering Research, Cilt 9, ss. 30–37X- and gamma-ray irradiation effects on vanadium pentoxide thin films
Demet Yılmaz, Betül Güzeldir, TUBA AKKUŞ, Tuba ÖZNÜLÜER
SPECTROSCOPY LETTERS, Cilt 51, Sayı 6, ss. 297–301 · DOI: 10.1080/00387010.2018.1475397- WoS Q3
- Scopus Q3
- WoS 2 atıf
- Scopus 3 atıf
- PlumX
Nanostructures and Properties of Vanadium Oxide Thin Film Preparedby Spray Pyrolysis Method
Elvan Şenarslan, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
Materials Science Forum, Cilt 890, ss. 287–290The stability of electrical characteristics of Ti/n-Si/Ag, Ti/n-Si/Cu and Ti/nSi/AgCu diodes prepared under the same conditions with respect to increasing aging time
Ahmet Taşer, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Cilt 68, ss. 186–192 · DOI: 10.1016/j.mssp.2017.06.014- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 9 atıf
- Scopus 10 atıf
- PlumX
The Stability of Electrical Characteristics of Ti/n-Si/Ag, Ti/n-Si/Cu and Ti/n-Si/AgCu Diodes Prepared Under the Same Conditions With Respect to Increasing Aging Time
Ahmet TAŞER, Betül Güzeldir, Mustafa SAĞLAM
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Cilt 68, ss. 186–192- WoS Q2
- Scopus Q1
Analysis of Aging Time Dependent ElectricalCharacteristics of AuCu/n-Si/Ti Schottky Type Diode
Ahmet TAŞER, Elvan Şenarslan, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
AIP Conference Proceedings, Sayı 1833, s. 20080 · DOI: 10.1063/1.4981728Nanorods/Nanostructral Vanadium Oxide Prepared bySpray Pyrolysis
Elvan Şenarslan, Ahmet TAŞER, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
AIP Conference Proceedings, Sayı 1833, s. 20089 · DOI: 10.1063/1.4981737Characterization of deposited CdS thin films by Spray Pyrolysis method and used in Cd/CdS/p-Si/Al structure
Oğuzhan Özakın, Şeydanur Aktaş, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
FRONTIERS OF FUNDAMENTAL AND COMPUTATIONAL PHYSICS, Cilt 1833, s. 20092 · DOI: 10.1063/1.4981740- Scopus Q4
- Scopus 1 atıf
- PlumX
Buildup factors and kerma for Al2O3 and SiO2 in the energy range 0.015-15 MeV
Demet Yılmaz, BÜNYAMİN ALIM, TUBA AKKUŞ, Betül Güzeldir
American Institute of Physics, Cilt 1833, s. 20086 · DOI: 10.1063/1.4981734- WoS 1 atıf
- Scopus 1 atıf
- PlumX
Effects of ageing on the electrical characteristics of Zn ZnS n GaAs In structure
Betül Güzeldir, MUSTAFA SAĞLAM
Journal of Physics: Conference Series · DOI: 10.1088/1742-6596/707/1/012016- Scopus Q3
- PlumX
Temperature dependent electrical characteristics of Zn ZnSe n GaAs In structure
Mustafa Sağlam, Betül Güzeldir
Journal of Physics: Conference Series · DOI: 10.1088/1742-6596/707/1/012025- Scopus Q3
- WoS 2 atıf
- Scopus 4 atıf
- PlumX
Bildiriler
94 kayıtEffect of low molarity HfO2 thin films on the reflectance properties of polished silicon substrate
Imran Kanmaz, Betül Güzeldir, ABDULLAH ÜZÜM
1. Uluslararası Palandöken Bilimsel Çalışmalar Kongresi, Erzurum, 24.11.2020 – 25.11.2020, Özet bildiriGraphene oxide assembled Au-based nanocomposite for temperature dependent InP heterojunction devices
İmran Kanmaz, ALİ BALTAKESMEZ, Cengiz Aykaç, Betül Güzeldir, MUSTAFA SAĞLAM
Turkish Physical Society 35 th International Physics Congress (TPS35), 04.09.2019 – 08.09.2019, ss. 307–3016, Tam metin bildiriElectrical Characteristic of Au/Graphene/p-Si/AlSchottky Diode Depend on Annealing Temperature
Oğuzhan Özakın, ÖZKAN BAYRAM, CENGİZ AYKAÇ, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
INTERNATIONAL CONFERENCE ONADVANCES INNATURAL APPLIED SCIENCES(ICANAS19), Ağrı, 19.06.2019 – 21.06.2019, Özet bildiriTransferring of Graphene Obtained on Copper Foilby Chemical Vapour Deposition(CVD) Techniqueand Investigation of Its Optical, Structural andCharacteristic Parameters
CENGİZ AYKAÇ, Oğuzhan Özakın, ÖZKAN BAYRAM, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCESIN NATURAL APPLIED SCIENCES(ICANAS19), Ağrı, 19.06.2019 – 21.06.2019, Özet bildiriDifferent ratios of Au-Ag and Au-Cu alloys for electrical characteristics of Au-Ag/n-GaAs/In and Au-Cu/n-GaAs/In Schottky diodes in the wide temperature range
Selin KÜP, İmran KANMAZ, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
4th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCES IN NATURAL & APPLIED SCIENCES (ICANAS 2019), Ağrı, 19.06.2019 – 22.06.2019, s. 2, Özet bildiriCharacteristic of Au/Graphene/p-Si/Al Schottky Diode Depend on Annealing Temperature
Oğuzhan Özakın, CENGİZ AYKAÇ, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
4th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCES IN NATURAL & APPLIED SCIENCES (ICANAS 2019), Ağrı, 19.06.2019 – 22.06.2019, s. 7, Özet bildiriThe Annealing Effects Of The Electrical Characteristics In Au-Cu/n-GaAs/In And Ag-Cu/n-GaAs/In Schottky Diodes By Means Of Different Ratios Au-Cu And Ag-Cu Alloys
İmran KANMAZ, Selin KÜP, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
4th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCES IN NATURAL & APPLIED SCIENCES (ICANAS 2019), Ağrı, 19.06.2019 – 22.06.2019, s. 1, Özet bildiriExamination of some basic electrical properties of Au /p-Si/Al, Au/GO/p-Si/Al and Au/Au-RGO/p-Si/Al structures
MERVE ODABAŞ, Ahmet TAŞER, ZÜLEYHA KUDAŞ, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
4th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCES IN NATURAL & APPLIED SCIENCES (ICANAS 2019), Ağrı, 19.06.2019 – 22.06.2019, s. 3, Özet bildiriTHE COMPARISON OF CURRENT -VOLTAGE CHARACTERISTICS OF Au/n-Si/Ti, AuAg/n-Si/Ti AND AuCu/n-Si/Ti SCHOTTKY DIODES AT ROOMTEMPERATURE
Zeynep Orhan, Fatma YILDIRIM, Ahmet TAŞER, Betül Güzeldir, MUSTAFA SAĞLAM
MAS INTERNATIONAL CONFERENCEON MATHEMATICS-ENGINEERING-NATURALMEDICAL SCIENCES-V, 02.05.2019 – 05.05.2019, ss. 635–643, Tam metin bildiriEFFECTS OF THERMAL ANNEALING ON DIODE PARAMETERS FROM C-VMEASUREMENTS OF THE Cd/CdS/n-GaAs/In AND Cd/CdSe/n-GaAs/InSTRUCTURES
Fatma YILDIRIM, Zeynep Orhan, Betül Güzeldir, Mustafa Sağlam
MAS INTERNATIONAL CONFERENCEON MATHEMATICS-ENGINEERING-NATURALMEDICAL SCIENCES-V, 02.05.2019 – 05.05.2019, ss. 622–634, Tam metin bildiriSürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Bu sayfadaki kayıtların ilişkilendirildiği amaçlar ve kayıt sayıları.
-
2 kayıt