Prof. Dr. · Mühendislik Fakültesi Dekanlığı Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Başkanlığı Elektronik Ana Bilim Dalı Başkanlığı
Genel bakış
Prof. Dr. · Mühendislik Fakültesi Dekanlığı Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Başkanlığı
Physics, Condensed Matter · Physics · Nanoscience & Nanotechnology
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Eğitim ve Yetkinlikler
Toplam 6 kayıt
Eğitim Bilgileri
3 kayıtAtatürk Üniversitesi Fen Fakültesi Dekanlığı Fizik Bölümü Başkanlığı Türkiye
University Of Manchester Institute Of Science And Technology (Umıst) Birleşik Krallık
Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Müdürlüğü Fizik Ana Bilim Dalı Başkanlığı Türkiye
Yabancı Diller
1 kayıt- İngilizce · B2 — Orta Üstü · Belge Yok
Yaptığı Tezler
2 kayıt-
1992
Yaptığı Tez Structural, Optical and Electrical Characterization of MBE Grown Erbium Doped GaAs, Si and SixGe1-x
Doktora · Danışman: Prof. Dr. A. R. Peaker · Devam ediyor · University Of Manchester Institute Of Science And Technology (Umıst) · Birleşik Krallık
-
1987
Yaptığı Tez DC metoduyla Hall ve Özdirenç ölçme sistemi ve n tipi Si için özdirenç ve mobilitenin tayini
Yüksek Lisans · Danışman: Doç. Dr. Yahya Kemal Yoğurtçu · Devam ediyor · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Mesleki Deneyim
Toplam 44 kayıt
Verdiği Dersler
19 kayıt- Katıhal Elektroniği · Lisans · 2022
- YArıiletkenlerde Rekombinasyom Merkezlerinin Karakterizasyonu · Yüksek Lisans · 2022
- Elektronik Devrelerde ve Düşük Akım Ölçüm Sistemlerinde Gürültü Azaltma Teknikleri · Yüksek Lisans · 2022
- Elektronik Devrelerde ve Düşük Akım Ölçüm Sistemlerinde Gürültü Azaltma Teknikleri · Yüksek Lisans · 2022
- Yarıiletken Proses Teknolojisi · Doktora · 2022
Akademik Ünvanlar/Görevler
6 kayıtAtatürk Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dekanlığı Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Başkanlığı
Atatürk Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dekanlığı Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Başkanlığı Elektronik Ana Bilim Dalı Başkanlığı
Atatürk Üniversitesi Fen Fakültesi Dekanlığı Fizik Bölümü Başkanlığı
Atatürk Üniversitesi Fen Fakültesi Dekanlığı Fizik Bölümü Başkanlığı
Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Müdürlüğü
Akademik İdari Deneyim
1 kayıtBölüm Başkanı Atatürk Üniversitesi Türkiye
Akademi Dışı Deneyim
1 kayıtAtatürk Üniv. Müh. Fak. E&E Müh Bl.
Bölüm Başkanı
Yönetilen Tezler
17 kayıt-
2021 – Devam ediyor
Yönetilen Tez Cu katkılı TiO2 ince filmlerin memristiv davranışı ve karakterizasyonu
Rol: Danışman · Doktora · Öğrenci: BANAFSHEH ALIZADEH ARASHLOO · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
-
2017 – Devam ediyor
Yönetilen Tez Metal ZnO ve ZnO1-x metal yapısının memristiv davranışının elektriksel ve optik karakterizasyonu
Rol: Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin) · Doktora · Öğrenci: Fatih GÜL · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
-
2015 – Devam ediyor
Yönetilen Tez Vanadyum oksitte eşik anahtarlama olayı ve hafıza seçme aygıt için uygulama potansiyeli
Rol: Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin) · Yüksek Lisans · Öğrenci: Morteza VAFADAR · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
-
2014 – Devam ediyor
Yönetilen Tez İnce filmlerde plazma tabanlı iyon aşındırma ve Au filme uygulanması
Rol: Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin) · Yüksek Lisans · Öğrenci: Melik GÜL · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
-
2014 – Devam ediyor
Yönetilen Tez Titanyum dioksit nano filmlerin memristiv özelliği ve fabrikasyon parametreleriyle ilişkisi
Rol: Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin) · Yüksek Lisans · Öğrenci: Süheyla GÜLLÜLÜ · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Proje & Tasarımlar
21 kayıt
Yüksek Sıcaklık Prosesleri İle Uyumlu Yönlendirilmiş İntimate Kontak İçeren Grafen/Si Ekleminin Teorik Analizi ve Omik kontak özelliklerinin Araştırılması
Devam Ediyor · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Mühendislik Fakültesi Araştırma Destek Projesi
Tamamlandı · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
ElektrikElektronik MühendisliğiNanoteknolojiKatıhal Elektroniği Araştırma Laboratuvarı Bakım Onarım Projesi
Tamamlandı · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
ElektrikElektronik Mühendisliği Bakım Onarım Projesi
Tamamlandı · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Ba05Sr05TiO3 İnce Filmlerin Memristif Özelliğinde Katkılama Etkisinin İncelenmesi
Tamamlandı · Atatürk Üniversitesi · Türkiye
Fikri Mülkiyet
9 kayıt
-
2022
Patent KOKUNUN GÖRÜNTÜYE DÖNÜŞTÜRÜLMESİ VE DERİN ÖĞRENME İLE KOKU SENSÖRÜ
Tevhit Karacalı, Mehmet Ertuğrul, Hasan Efeoğlu, İbrahim Yücel Özbek, Emin Argun Oral, Ömer Çoban, Elif Akarsu
-
2020
Patent Neurotransmitter monitoring and treatment devices
Ahmet Hacımüftüoğlu, Hasan Efeoğlu, Bülent Çavuşoğlu, İbrahim Yücel Özbek, Tevhit Karacalı, Emin Argun Oral
-
2020
Patent (Çin Başvurusu) Neurotransmitter monitoring and treatment device
Ahmet Hacımüftüoğlu, Bülent Çavuşoğlu, İbrahim Yücel Özbek, Hasan Efeoğlu, Tevhit Karacalı, Emin Argun Oral, Miraç Dilruba Geyikoğlu, Ufuk Okkay
-
2020
Patent (Hindistan Başvurusu) Neurotransmitter monitoring and tretment device
Ahmet Hacımüftüoğlu, Bülent Çavuşoğlu, İbrahim Yücel Özbek, Ufuk Okkay, Hasan Efeoğlu, Emin Argun Oral, Miraç Dilruba Geyikoğlu
-
2020
Patent NEUROTRANSMITTER MONITORNG AND TREATMENT DEVICE
Ahmet Hacımüftüoğlu, Bülent Çavuşoğlu, İbrahim Yücel Özbek, Hasan Efeoğlu
Yayınlar
Toplam 152 kayıt
Makaleler
95 kayıtTemperature-Dependent I–V Characteristics of Schottky Diodes: A Comprehensive Review of Barrier Height, Ideality Factor, and Series Resistance
Md Tohidul Islam, Hasan Efeoğlu
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Cilt 54, Sayı 12, ss. 10824–10857 · DOI: 10.1007/s11664-025-12432-2- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 8 atıf
- Scopus 10 atıf
- PlumX
Influence of nitrogen concentration on the temperature sensing and resistor properties of TaN thin films at cryogenic temperatures
Md Tohidul Islam, Hasan Efeoğlu
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, Cilt 322 · DOI: 10.1016/j.mseb.2025.118605- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 1 atıf
- PlumX
Characterization of TaxO5−y thin films grown by HiPIMS reactive sputtering for temperature sensing applications
Md Tohidul Islam, Hasan Efeoğlu
Journal of Vacuum Science and Technology B, Cilt 43, Sayı 5 · DOI: 10.1116/5.0272732- WoS Q4
- Scopus Q2
- PlumX
Temperature-dependent characteristics of Tantalum and Tantalum nitride based p-Si structures
Tohidul Islam, Hasan Efeoğlu, Abdulmecit Turut
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Cilt 195 · DOI: 10.1016/j.mssp.2025.109645- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 6 atıf
- Scopus 6 atıf
- PlumX
Room temperature current conduction mechanisms in Ba0.5Sr0.5TiO3 and Ba0.5Sr0.5TiO3/TiO2 multilayer memristor structures
Ozlem Akin, Hasan Efeoğlu
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Cilt 36, Sayı 8 · DOI: 10.1007/s10854-025-14536-1- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 1 atıf
- Scopus 1 atıf
- PlumX
Experimental current-voltage-temperature and thermal sensitivity behaviors of an ideal Schottky barrier diode over a wide temperature range
Hasan Efeoğlu, Abdulmecit Turut
Journal of Vacuum Science and Technology B, Cilt 43, Sayı 2 · DOI: 10.1116/6.0004273- WoS Q4
- Scopus Q2
- WoS 5 atıf
- Scopus 4 atıf
- PlumX
Numerical Analysis of Thermal Sensitivity Characteristics by Pinch-Off Model in Inhomogeneous Schottky Barrier Diodes
Abdulmecit Turut, Hasan Efeoğlu
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Cilt 54, Sayı 3, ss. 2460–2470 · DOI: 10.1007/s11664-024-11678-6- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 5 atıf
- Scopus 3 atıf
- PlumX
Investigation of the memristive properties of the device form and thin film form of BST and CeO2 films with different arrays
Ozlem Akin, Hasan Efeoğlu
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Cilt 36, Sayı 6 · DOI: 10.1007/s10854-025-14460-4- WoS Q2
- Scopus Q2
An experimental study: Dependence of Schottky diode parameters on Schottky contact area size
Hasan Efeoğlu, Abdulmecit Turut, Melik Gül
OPTICAL MATERIALS, Cilt 142 · DOI: 10.1016/j.optmat.2023.114038- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 18 atıf
- Scopus 18 atıf
- PlumX
Thermal sensing capability and current-voltage-temperature characteristics in Pt/ n -GaP/Al/Ti Schottky diodes
Hasan Efeoğlu, Abdulmecit Turut
Journal of Vacuum Science and Technology B, Cilt 41, Sayı 2 · DOI: 10.1116/6.0002411- WoS Q3
- Scopus Q3
- WoS 16 atıf
- Scopus 17 atıf
- PlumX
Current–Voltage Characteristics of Pt Metal-based and PtSi Silicide-based n-Si Schottky Diodes over a Wide Measuring Temperature Range
Hasan Efeoğlu, Abdulmecit Turut, Melik Gül
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Cilt 52, Sayı 2, ss. 1410–1418 · DOI: 10.1007/s11664-022-10062-6- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 20 atıf
- Scopus 19 atıf
- PlumX
Thermal sensitivity and current-voltage-temperature characteristics in Pt/epitaxy n-Si/n(+)Si structures as a function of Schottky contact area
Hasan Efeoğlu, Abdulmecit Turut, Melik Gul
Journal of Vacuum Science and Technology B, Cilt 40, Sayı 5 · DOI: 10.1116/6.0002030- WoS Q4
- Scopus Q3
- WoS 12 atıf
- Scopus 11 atıf
- PlumX
Current-voltage-measurement temperature characteristics depending on the barrier-forming contact metal thickness in Au/Cu/n-Si/Au-Sb/Ni rectifying contacts
Hasan Efeoğlu, Abdulmecit Turut
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Cilt 143 · DOI: 10.1016/j.mssp.2022.106532- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 8 atıf
- Scopus 8 atıf
- PlumX
A highly stable temperature sensor based on Au/Cu/n-Si Schottky barrier diodes dependent on the inner metal thickness
Hasan Efeoğlu, ABDULMECİT TÜRÜT
Journal of Physics D: Applied Physics, Cilt 55, Sayı 18 · DOI: 10.1088/1361-6463/ac43de- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 15 atıf
- Scopus 16 atıf
- PlumX
Analysis and Comparison of the Main Electrical Characteristics of Cu/n-type Si metal semiconductor structures at wide temperature Range
ÖMER FARUK BAKKALOĞLU, KADİR EJDERHA, Hasan Efeoğlu, ŞÜKRÜ KARATAŞ, ABDULMECİT TÜRÜT
Silicon, Cilt 14, Sayı 7, ss. 3493–3500 · DOI: 10.1007/s12633-021-01132-1- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 3 atıf
- Scopus 4 atıf
- PlumX
Formation of a Ti -> TiO2-graded layer and its effect on the memristive properties of TiOx(/Ti/TiOx) structures
Melik Gul, Hasan Efeoğlu
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Cilt 33, Sayı 10, ss. 7423–7434 · DOI: 10.1007/s10854-022-07864-z- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 5 atıf
- Scopus 5 atıf
- PlumX
Effect of the Al2O3 interfacial layer thickness on the measurement temperature-induced I-V characteristics in Au/Ti/Al2O3/n-GaAs structures
ABDULMECİT TÜRÜT, Abdulkerim Karabulut, Hasan Efeoğlu
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Cilt 32, Sayı 17, ss. 22680–22688 · DOI: 10.1007/s10854-021-06753-1- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 14 atıf
- Scopus 16 atıf
- PlumX
Cupper doping effect on the electrical characteristics of TiO2 based Memristor
Banafsheh Alizadeh Arashloo, Hasan Efeoğlu
Brilliant Engineering, Cilt 2, Sayı 1, ss. 19–24AN APPLICATION of R-HiPIMS METHOD for TiO2-AND TiO2:Cu-BASED MEMRISTORS: CONTROLLING Cu DOPING USING DC PULSE METHOD
Banafsheh Alizadeh Arashloo, Hasan Efeoğlu
SURFACE REVIEW AND LETTERS, Cilt 28, Sayı 2 · DOI: 10.1142/s0218625x20500419- WoS Q4
- Scopus Q3
Temperature dependence of electrical parameters of the Cu/n-Si metal semiconductor Schottky structures
ÖMER FARUK BAKKALOĞLU, KADİR EJDERHA, Hasan Efeoğlu, ŞÜKRÜ KARATAŞ, ABDULMECİT TÜRÜT
Journal of Molecular Structure, Cilt 1224 · DOI: 10.1016/j.molstruc.2020.129057- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 23 atıf
- Scopus 21 atıf
- PlumX
Thermal sensitivity from current-voltage-measurement temperature characteristics in Au/n-GaAs Schottky contacts
ABDULMECİT TÜRÜT, Hasan Efeoğlu
TURKISH JOURNAL OF PHYSICS, Cilt 45, Sayı 5, ss. 268–280 · DOI: 10.3906/fiz-2108-15- Scopus Q3
- WoS 20 atıf
- PlumX
Single-step, large-area, variable thickness sputtered WS2 film-based field effect transistors
Merve Acar, Soheil Mobtakeri, Hasan Efeoğlu, Mehmet Ertuğrul, Emre Gür
Ceramics International, Cilt 46, Sayı 17, ss. 26854–26860 · DOI: 10.1016/j.ceramint.2020.07.161- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 14 atıf
- Scopus 16 atıf
- PlumX
Characterization of electrical transport and properties of an Al/porous Si (PS)/p-Si/Al heterojunction
Murat GÜLNAHAR, Tevhit Karacalı, Hasan Efeoğlu
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, Cilt 797, ss. 859–864 · DOI: 10.1016/j.jallcom.2019.04.182- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 6 atıf
- Scopus 6 atıf
- PlumX
The Analytical Investigation of Quantum Capacitance on Graphene Oxide Based Memristor
Banafsheh Alizadeh Arashloo, Hasan Efeoğlu, Mohammad Taghi Ahmadi
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, Cilt 14, Sayı 8, ss. 1083–1087 · DOI: 10.1166/jno.2019.2615- WoS Q4
2D photoluminescence mapping of porous silicon using confocal technique
Atakan Abuşoğlu, Tevhit Karacalı, Hasan Efeoğlu
JOURNAL OF OPTICS-INDIA, Cilt 48, Sayı 2, ss. 214–219 · DOI: 10.1007/s12596-019-00513-5The current-voltage characteristics of the ferroelectric p-YMnO3 thin film/bulk p-Si heterojunction over a broad measurement temperature range
ABDULMECİT TÜRÜT, MUSTAFA COŞKUN, FATİH MEHMET COŞKUN, ÖZGÜR POLAT, ZEHRA DURMUŞ, M. Caglar, Hasan Efeoğlu
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, Cilt 782, ss. 566–575 · DOI: 10.1016/j.jallcom.2018.12.246- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 35 atıf
- Scopus 36 atıf
- PlumX
ZnO and ZnO1-x based thin film memristors: The effects of oxygen deficiency and thickness in resistive switching behavior
Fatih GÜL, Hasan Efeoğlu
Ceramics International, Cilt 43, Sayı 14, ss. 10770–10775 · DOI: 10.1016/j.ceramint.2017.05.090- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 63 atıf
- Scopus 68 atıf
- PlumX
Deposition of ZnO thin films by RF&DC magnetron sputtering on silicon and porous-silicon substrates for pyroelectric applications
K. Cicek, Tevhit Karacalı, Hasan Efeoğlu, B. Cakmak
SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, Cilt 260, ss. 24–28 · DOI: 10.1016/j.sna.2017.04.007- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 10 atıf
- Scopus 12 atıf
- PlumX
Influence of Al2O3 barrier on the interfacial electronic structure of Au/Ti/n-GaAs structures
Abdulkerim Karabulut, Hasan Efeoğlu, ABDULMECİT TÜRÜT
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Cilt 38, Sayı 5 · DOI: 10.1088/1674-4926/38/5/054003- Scopus Q3
- WoS 45 atıf
- Scopus 38 atıf
- PlumX
Electrical characteristics of atomic layer deposited Au/Ti/Al2O3/n-GaAs MIS structures over a wide measurement temperature
ABDULMECİT TURUT, ABDULKERİM KARABULUT, Hasan Efeoğlu
JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, Cilt 19, ss. 424–433- WoS Q4
- Scopus Q3
- WoS 13 atıf
- Scopus 14 atıf
On the studies of capacitance-voltage-temperature and deep level characteristics of an Au/p-GaTe Schottky diode
MURAT GÜLNAHAR, Hasan Efeoğlu, Mustafa Sahin
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, Cilt 694, ss. 1019–1025 · DOI: 10.1016/j.jallcom.2016.08.097- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 11 atıf
- Scopus 11 atıf
- PlumX
Bipolar resistive switching and conduction mechanism of an Al/ZnO/Al-based memristor
Fatih GÜL, Hasan Efeoğlu
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Cilt 101, ss. 172–179 · DOI: 10.1016/j.spmi.2016.11.043- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 62 atıf
- Scopus 67 atıf
- PlumX
Resistive switching of reactive sputtered TiO2 based memristor in crossbar geometry
Hasan Efeoğlu, Stiheyla Gullulu, Tevhit Karacalı
APPLIED SURFACE SCIENCE, Cilt 350, ss. 10–13 · DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.03.088- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 28 atıf
- Scopus 28 atıf
- PlumX
Characterization of Porous Silicon Fabry-Perot Optical Sensors for Reflectivity and Transmittivity Measurements
Ugur C. Hasar, İbrahim Yücel Özbek, Bülent Çavuşoğlu, Tevhit Karacalı, Hasan Efeoğlu, Mehmet ERTUĞRUL, Joaquim Jose Barroso
IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, Cilt 21, Sayı 4 · DOI: 10.1109/jstqe.2014.2365583- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 7 atıf
- Scopus 9 atıf
- PlumX
Porous Si Based Al Schottky Structures on p(+)-Si: A Possible Way for Nano Schottky Fabrication
Murat GÜLNAHAR, Tevhit Karacalı, Hasan Efeoğlu
Electrochimica Acta, Cilt 168, ss. 41–49 · DOI: 10.1016/j.electacta.2015.03.204- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 19 atıf
- Scopus 20 atıf
- PlumX
Identification of Gases by Porous Optical Sensors Using Reflectivity Difference and Wavelength Shift
Ugur Cem Hasar, İbrahim Yücel Özbek, Bülent Çavuşoğlu, Tevhit Karacalı, Hasan Efeoğlu, Mehmet ERTUĞRUL, Joaquim J. Barroso
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, Cilt 27, Sayı 6, ss. 596–599 · DOI: 10.1109/lpt.2014.2385811- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 3 atıf
- Scopus 4 atıf
- PlumX
THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF THE Au/MBE n-GaAs SCHOTTKY DIODES IN A WIDE TEMPERATURE RANGE
Hasan Efeoğlu, ABDULMECİT TÜRÜT
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, Cilt 27, Sayı 19 · DOI: 10.1142/s0217979213500884- WoS Q4
- Scopus Q3
- WoS 7 atıf
- Scopus 7 atıf
- PlumX
Temperature dependent I-V characteristics of an Au/n-GaAs Schottky diode analyzed using Tung's model
Demet Korucu, ABDULMECİT TÜRÜT, Hasan Efeoğlu
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, Cilt 414, ss. 35–41 · DOI: 10.1016/j.physb.2013.01.010- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 57 atıf
- Scopus 56 atıf
- PlumX
Novel Design of Porous Silicon Based Sensor for Reliable and Feasible Chemical Gas Vapor Detection
Tevhit Karacalı, Uğur Cem Hasar, İbrahim Yücel Özbek, Emin Argun Oral, Hasan Efeoğlu
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, Cilt 31, Sayı 2, ss. 295–305 · DOI: 10.1109/jlt.2012.2230246- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 24 atıf
- Scopus 28 atıf
- PlumX
Evaluation of lateral barrier height of inhomogeneous photolithography-fabricated Au/n-GaAs Schottky barrier diodes from 80 K to 320 K
D. Korucu, Hasan Efeoğlu, Abdulmecit Turut, S. Altindal
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Cilt 15, Sayı 5, ss. 480–485 · DOI: 10.1016/j.mssp.2012.03.005- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 19 atıf
- Scopus 20 atıf
- PlumX
The effect of silicon loss and fabrication tolerance on spectral properties of porous silicon Fabry-Perot cavities in sensing applications
U.C. Hasar, İbrahim Yücel Özbek, Emin Argun Oral, Tevhit Karacalı, Hasan Efeoğlu
Optics Express, Cilt 20, Sayı 20, ss. 22208–22223 · DOI: 10.1364/oe.20.022208- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 23 atıf
- Scopus 25 atıf
- PlumX
Multiple-barrier distribution behavior of Mo/p-GaTe fabricated with sputtering
Murat GÜLNAHAR, Hasan Efeoğlu
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, Cilt 509, Sayı 27, ss. 7317–7323 · DOI: 10.1016/j.jallcom.2011.03.170- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 15 atıf
- Scopus 17 atıf
- PlumX
Anodization of aluminium thin films on p(++)Si and annihilation of strong luminescence from Al2O3
Hasan Efeoğlu, Tevhit Karacalı, Kadem Meral, Ibrahim Y. ERDOGAN, Yavuz Onganer
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Cilt 130, Sayı 1, ss. 157–162 · DOI: 10.1016/j.jlumin.2009.08.002- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 4 atıf
- Scopus 5 atıf
- PlumX
Single and Double Fabry-Perot Structure Based on Porous Silicon for Chemical Sensors
Tevhit Karacalı, Murat ALANYALIOĞLU, Hasan Efeoğlu
IEEE SENSORS JOURNAL, Cilt 9, Sayı 12, ss. 1667–1672 · DOI: 10.1109/jsen.2009.2030647- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 15 atıf
- Scopus 16 atıf
- PlumX
Double barrier nature of Au/p-GaTe Schottky contact: Linearization of Richardson plot
Murat GÜLNAHAR, Hasan Efeoğlu
SOLID-STATE ELECTRONICS, Cilt 53, Sayı 9, ss. 972–978 · DOI: 10.1016/j.sse.2009.03.027- WoS Q2
- Scopus Q1
- WoS 27 atıf
- Scopus 29 atıf
- PlumX
Temperature-dependent current-voltage characteristics of the Au/n-InP diodes with inhomogeneous Schottky barrier height
F. E. Cimilli, Mustafa Sağlam, Hasan Efeoğlu, Abdulmecit Turut
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, Cilt 404, ss. 1558–1562 · DOI: 10.1016/j.physb.2009.01.018- WoS Q3
- Scopus Q2
- WoS 54 atıf
- Scopus 53 atıf
- PlumX
Electrodeposited ZnCoNi alloys
İSMAİL HAKKİ KARAHAN, Hasan Efeoğlu, ÖMER FARUK BAKKALOĞLU
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, Cilt 3, Sayı 3, ss. 181–184- WoS Q4
- Scopus Q3
Temperature-dependent current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the Ag/n-InP/In Schottky diodes
F. E. Cimilli, Hasan Efeoğlu, Mustafa Sağlam, A. Tueruet
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Cilt 20, Sayı 2, ss. 105–112 · DOI: 10.1007/s10854-008-9635-z- WoS Q2
- Scopus Q2
- WoS 36 atıf
- Scopus 36 atıf
- PlumX
Electrical transport properties of p-GaTe grown by directional freezing method
Hasan Efeoğlu, Tevhit Karacalı, Bahattin Abay, Y.K. YOGURTÇU
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Cilt 19, Sayı 3, ss. 523–530 · DOI: 10.1088/0268-1242/19/3/043- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 10 atıf
- Scopus 11 atıf
- PlumX
Temperature dependence of reverse bias capacitance-voltage characteristics of Sn/p-GaTe Schottky diodes
C COSKUN, Şakir Aydoğan, Hasan Efeoğlu
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Cilt 19, Sayı 2, ss. 242–246 · DOI: 10.1088/0268-1242/19/2/020- WoS Q1
- Scopus Q1
- WoS 65 atıf
- Scopus 78 atıf
- PlumX
Bildiriler
56 kayıtMemristör uygulaması işin TiO2 ve TiO2:Cu film büyütme oranında HiPIMS frekansının etkisi
Hasan Efeoğlu, Banafsheh Alizadeh Arashloo
EEMKON 2019 Elektrik Elektronik Mühendisliği Konferansı, 14.11.2019 – 16.11.2019, Tam metin bildiriGrowth Rate Enhancement of TiO2 byR-HiPIMS and Application to MemristorFabrication
BANAFSHEH ALIZADEH ARASHLOO, Hasan Efeoğlu, Tevhit Karacalı
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON APPLIEDSCIENCES AND ENGINEERING, Erzurum, 26.11.2018 – 28.11.2018, ss. 4–6, Tam metin bildiriMemristiv Properties of Er2O3 and Er2O3:Cu Thin films on Silicon:HiPIMS application for Cu Doping
Hasan Efeoğlu, melik GÜL
Science and Application of Thin Films, Conference Exhibition (SATF2018), İzmir, 17.10.2018 – 21.10.2018, Özet bildiriMemristiv effect on W/Ti/p-Si Structure:Aging Phenımena and One of the origin of Barrier Inhomogeneity
Hasan Efeoğlu
2nd INternational Congress on Semiconductor Materials and Devices, 28.09.2018 – 30.09.2018, Özet bildiriTemperature dependence of interface-state density distributions in Cu/ CuO/n-type Si structures
ŞÜKRÜ KARATAŞ, KADİR EJDERHA, ÖMER FARUK BAKKALOĞLU, Hasan Efeoğlu, A. Mecit Turut
2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD), Ardahan, 28.08.2018 – 30.08.2018, ss. 7030–7032, Tam metin bildiri · DOI: 10.1016/j.matpr.2021.03.285The investigation of current conduction mechanisms in Cu/CuO/n-type Si Structures as temperature dependence
ÖMER FARUK BAKKALOĞLU, KADİR EJDERHA, Hasan Efeoğlu, ABDULMECİT TURUT, ŞÜKRÜ KARATAŞ
2nd INTERNATIONAL CONGRESS ON SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES, 28.08.2018 – 30.08.2018, Özet bildiriMemristiv effect on W/Ti/p-Si structure: Aging phenomena and one of the origin of barrier inhomogeneity
Hasan Efeoğlu
2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD), Ardahan, 28.08.2018 – 30.08.2018, ss. 7033–7039, Tam metin bildiri · DOI: 10.1016/j.matpr.2021.03.286ANALYSIS OF BARRIER HEIGHT AND SERIES RESISTANCE INCu/CuO/n-TYPE Si STRUCTURES IN WIDE TEMPERATURE RANGE
ŞÜKRÜ KARATAŞ, KADİR EJDERHA, ÖMER FARUK BAKKALOĞLU, Hasan Efeoğlu, ABDULMECİT TURUT
2nd INTERNATIONAL CONGRESS ON SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES, Ardahan, 28.08.2018 – 30.08.2018, Tam metin bildiri2D Power Mapping Of N/P/P/Al Crystalline Silicon Solar Cells
Hasan Efeoğlu, FIRAT ES, zeynep elif ÖZERBAŞ, Ahmet Mavi, RAŞİT TURAN
PVCON2018, Ankara, 04.07.2018 – 06.07.2018, Özet bildiriThe Effect of Post-Annealing on XRD Pattern of DC Sputtered ZnO/SiO2 Structure
FATİH GÜL, Hasan Efeoğlu
8th International Advanced Technologies Symposium (IATS17), 19.10.2017 – 21.10.2017, Özet bildiriKitapta Bölümler
1 kayıtErbium related defects in gallium arsenide
Peaker AR, Coppinger F,, Hasan Efeoğlu, JH EVANSFREEMAN, DK MAUDE, JC PORTAL, Rutter P,, Singer KE, A. SCHOLES, Wright AC
DEFECTS IN SEMICONDUCTORS ICDS 19, Editör: Davies, G; Nazare, MH, Transtec Publıcatıons Ltd, ss. 1551–1558Bilimsel & Mesleki Faaliyetler
3 kayıt
-
2022 – 2023
TÜBİTAK · Ulusal Matematik Fizik Araştırma Grubu
Yürütme Kurulu Üyesi · Türkiye
-
2022 – Devam ediyor
TÜBİTAK · Ulusal MFAG Grup Yürütme Kurulu
Bilim Kurulu Üyesi · Türkiye
-
2021 – Devam ediyor
TÜBİTAK · Ulusal Matematik, Fizik Araştırma Destek Grubu (MFAG)
Yürütme Kurulu Üyesi · Türkiye
Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Bu sayfadaki kayıtların ilişkilendirildiği amaçlar ve kayıt sayıları.
-
1 kayıt
-
1 kayıt
-
2 kayıt